Все науки. №6, 2022. Международный научный журнал. Ибратжон Хатамович АлиевЧитать онлайн книгу.
и необыкновенного лучей, Ee и E0* – проекции вектора поляризации света на оптические оси кристалла,
В этом случае фотовольтаический ток (2) осциллирует в кристалле с периодом
Как указывалось в [4] и как видно из (2) пространственно осциллирующий фотовольтаический ток (ПОФТ) может экспериментально наблюдаться в условиях сильного поглощения света.
где α* – коэффициент поглощения.
1. ПРОСТРАНСТВЕННО ОСЦИЛИРУЮЩИЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТОК В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ SbSi
В настоящей работе обнаружен и исследован пространственно-осциллирующей фотовольтаический ток (ПОФТ) в направлении [100] в сегнетоэлектрике SbSI при освещении поляризованным светом в направлении [010].
Сульфоиодид сурьмы (SbSI) принадлежит к классу халькогенидов металлов пятой группы AVBVICII, где A-Sb; Bi; B-S, Se, Te; C-CL, Br, I. Кристаллы SbSI и SbSIxBr1-x – двуосные, обладают большим двойным преломлением, ниже температуры. Кюри Тс=220С кристаллы SbSI принадлежат к классу mm2 и обладают ромбической симметрией. При фазовом превращении происходит исчезновение центра симметрии, следовательно, ниже точки перехода кристаллы SbSI становятся сегнетоэлектриками.
Фазовый переход при 220С был зарегистрирован впервые Фатуццо [5] при изменении температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Кристаллы обладают ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, их фотоэлектрические свойства хорошо изучены [1].
Измерения проводились для монокристаллов SbSI в сегнетоэлектрической фазе при температуре Т=133 К. Кристалл освещался плоско поляризованным светом с помощью ксеноновой лампы и монохроматора ЗМР. Измерялся стационарный фотовольтаический ток J по ранее описанному [1] методу. В соответствии с симметрией SbSI (точечная группа mm2) при измерении Jz (z – направление спонтанной поляризации) и освещении кристалла в x и y направлениях ПОФТ не возникает. Выражение для фотовольтаического тока Jz при освещении в x и y направлениях, соответственно, имеет вид:
где I—интенсивность света, β—угол между плоскостью поляризация света и осью z. На рис.1 кривая 1 представляет экспериментальную угловую зависимость Jz (β) для λ=600 нм при освещении вдоль [100]. Из сравнения экспериментальных угловых зависимостей Jz (β) с (4) и (5) были оценены численные значения αιjκ или фотовольтаические коэффициенты
С учетом плеохроизма и анизотропии отражения света в SbSI [6] были получены следующие значения:
К314∙10—8; К323∙10—8; K33 (2—3) ∙10—8А∙см∙ (Вт) -1. Таким образом, в SbSI фотовольтаические коэффициенты K31, K32, K33 более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты в LiNbO3: Fe.
Рис.1. Зависимость фотовольтаического тока Jz (1) при l = 600 нм и Jx (2) при l = 460 от ориентации плоскости поляризации света в SbSI.
Согласно