Все науки. №12, 2023. Международный научный журнал. Ибратжон Хатамович АлиевЧитать онлайн книгу.
однотомных романов, 2 сборника рассказов, 7 томов-продолжений романа-эпопеи «Конструктор миров», не менее 10 научных статей в журналах, индексируемые в Scopus и Web of Sciences, на YouTube-канале выпустить около 60 больших видеороликов и не менее 330 видео в формате shorts на самые различные научные и научно-популярные темы. Планируется привлечь в состав учёного совета иностранных членов учёного сообщества, а также расширить круг организаций-партнёров Организации. В результате, открывая совершенно новые возможности.
Дорогие друзья, уважаемые жители нашей планеты, в этот предновогодний час, в эти сказочные мгновения, ещё раз искренне поздравляю Вас с новым 2024 годом. Пусть в Новом 2024 году в каждой семье, в каждом государстве, в каждой точке нашего мира будет царить мир, счастье и благополучие, пусть сбудутся все самые добрые мечты и оправдаются самые светлые надежды, пусть во всём мире процветает наука!
С Новым 2024 годом, Дорогие жители всей нашей планеты!
ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
МЕХАНИЗМ ИЗМЕНЕНИЯ СВОЙСТВ Cu2-xTe-CdTe СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ТЕРМООБРАБОТКИ
УДК: 531/534
С.М.Отажонов
Профессор, доктор физика-математические наук
Ферганский государственный университет
Аннотация. В данной работе рассмотрено механизм изменения свойств Cu2-xTe-CdTe солнечных элементов под действием термообработки. Установлено, что атомы меди из раствора CuCi в процессе создания гетероперехода химическим способом проникают в базовой слой CdTe по границам зерен через слой Cu2-xTe. В процессе термообработки шунтирующие р-п-перехода атомы меди проникают в глубь базового слоя, образовав компенсирующие акценторные уровни в CdTe.
Ключевые слова: термообработка, гетеропереход, атомы меди, объёмная заряд, туннелирования носителей заряда.
Abstract. In this paper, the mechanism of Cu2-xTe-CdTe solar cells properties change under the action of heat treatment is considered.It is found that copper atoms from CuCi solution during the process of heterojunction creation chemically penetrate into the CdTe base layer along the grain boundaries through the Cu2-xTe layer. During the heat treatment process, the p-p junction shunting Cu atoms penetrate deep into the base layer to form compensating accentor levels in CdTe.
Keywords: heat treatment, heterojunction, copper atoms, volume charge, charge carrier tunneling.
Получено термическим испарением и химическим способом гетероструктуры на основы Cu2-xTe-CdTe. Сразу же после получения гетероперехода базовый слой n-CdTe ещё недостаточно конденсирован медью, чем обусловлено узкая область объёмного заряда. Кроме того известно, что атомы меди из раствора CuCi в процессе создания гетероперехода химическим способом проникают в базовой слой CdTe по границам зерен через слой Cu2-xTe. При внезапном прекращена химической реакции некоторая часть атомов меди, не связанных с CdTe, остаётся на границе раздела гетероперехода. Эти атомы меди образуют на границе раздела шунтирующие каналы. Узкая область объёмная заряда и наличия шунтирующих каналов на границе раздела дают возможность туннелирования носителей заряда через эти каналы. Туннельные токи через шунтирующие